半導(dǎo)體工業(yè)在加工的過程中會(huì)使用到光刻膠、蝕刻液、清洗劑、顯影劑等溶劑，而這些溶劑是含有大量的有機(jī)物成分，排放出來的廢氣含有HCl、氨、HF等危險(xiǎn)污染物，而主要處理的是具有揮發(fā)性的VOCs。VOCs污染物為有機(jī)化合物，在濃度較高且有火花或靜電情況下，極易發(fā)生閃爆現(xiàn)象。半導(dǎo)體在制造過程中一般的污染源包括顆粒污染物、金屬離子和化學(xué)物質(zhì)等，而這些都是屬于有害的污染物。

　　廢氣來源：在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線造成環(huán)境污染的有害氣體，主要來源于芯片生產(chǎn)的清洗、均膠、去膠、刻蝕、顯影過程中。

　　廢氣特點(diǎn)：半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線廢氣具有排氣量大、濃度小的特點(diǎn)。

　　主要危害：半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線對(duì)大氣的污染，主要是器件清洗等表面處理過程中因使用一些化學(xué)藥劑（如硫酸、鹽酸、氟氯化碳、四氯化碳、三氯乙烷及其他有機(jī)鹵化物）揮發(fā)造成對(duì)大氣環(huán)境的污染，以及整機(jī)裝配過程中產(chǎn)生的機(jī)械噪聲和少量粉塵也會(huì)造成環(huán)境污染，這些污染氣體會(huì)造成人群慢性或急性中毒。

　　半導(dǎo)體廢氣處理方法根據(jù)工業(yè)廢氣成分進(jìn)行廢氣處理設(shè)備的選擇。

　　半導(dǎo)體廢氣處理工藝采用催化燃燒裝置：

　　RCO催化燃燒設(shè)備的運(yùn)作原理是將有機(jī)廢氣通過過濾器過濾后，進(jìn)入設(shè)備的活性炭吸附模塊，對(duì)廢氣進(jìn)行吸附、濃縮，再借助催化劑燃燒的方式對(duì)吸附、濃縮后的廢氣進(jìn)行凈化處理，燃燒的過程為無焰燃燒，燃燒后的廢氣會(huì)轉(zhuǎn)化為二氧化碳和水。

　　在催化氧化爐內(nèi)被加熱到250～300℃的有機(jī)廢氣在貴金屬催化劑的作用下發(fā)生無焰燃燒，有機(jī)廢氣被氧化分解成二氧化碳和水，達(dá)到廢氣處理的目的，廢氣處理后的潔凈氣體經(jīng)煙囪達(dá)標(biāo)排放。燃燒后的熱空氣通過換熱器進(jìn)行降溫，降溫后的氣體部分排放，部分用于活性炭脫附再生以達(dá)到廢熱利用和節(jié)能的目的。

　　半導(dǎo)體工業(yè)廢氣是具有毒性的，不同的工業(yè)采用的工藝原材料不同，因此采用的廢氣處理設(shè)備以及工藝都是不一樣的，具體的處理方案可咨詢我們

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　　相關(guān)小知識(shí)：

　　半導(dǎo)體有害因素有哪些？

　　電子行業(yè)主要涉及半導(dǎo)體、集成電路、電子元件的生產(chǎn)與裝配，常見的職業(yè)危害包括有毒化學(xué)物質(zhì)，常見的有四氯化碳、苯類、三氯乙烯、酸類、環(huán)己酮、丙酮、鉛等，此外還存在噪聲、金屬粉塵、高頻、電離輻射等有害因素。